[发明专利]一种新型的GaN异质结场效应晶体管在审
| 申请号： | 201711000668.6 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107623032A | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 周琦;魏东;张安邦;朱若璞;董长旭;石瑜;黄芃;王方洲;陈万军;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型的GaN异质结场效应晶体管。本发明通过在场效应晶体管的GaN沟道层局部区域引入P型GaN埋层，该P型GaN埋层可以提升该区域异质结能带从而降低局部沟道2‑DEG浓度同时在GaN沟道层沿着电流方向引入了pn结场板来调制沟道电场。本发明将P型GaN埋层和凹槽技术相结合使阈值电压调控方案更加灵活并且可以实现更大范围的阈值电压调控；同时，P型GaN埋层在GaN沟道层的电场调制效应有效降低器件内部最大峰值电场，使电场分布更加均匀，而且，P型GaN埋层在GaN Buffer中引入了势垒，有效抑制由Buffer漏电所导致器件发生的源漏穿通。因此，与传统凹槽栅GaN异质结场效应晶体管相比，新结构有效地提高了器件的阈值电压调控范围和大大改善了器件的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 gan 异质结 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种新型的GaN异质结场效应晶体管，从下至上依次包括衬底(1)、GaN成核缓冲层(2)、GaN沟道层(5)；在GaN沟道层(5)上设置有异质结XN势垒层(6)，所述异质结XN势垒层(6)两端分别设置有欧姆接触漏极(7)和欧姆接触源极(8)，在所述异质结XN势垒层(6)中设置有凹槽(12)，所述凹槽(12)与欧姆接触漏极(7)和欧姆接触源极(8)之间的异质结XN势垒层(6)上表面具有钝化层(9)；所述凹槽(12)底部及与钝化层(9)相连的侧壁以及钝化层(9)上表面具有绝缘介质(10)；所述凹槽(12)中具有肖特基金属栅极(11)；其特征在于：所述GaN沟道层(5)中设置有局部P型GaN埋层(4)，且局部P型GaN埋层(4)位于凹槽栅正下方并向漏极方向延伸Lgp长度，同时P型GaN埋层(4)的上表面距离沟道层(5)上表面的距离为T。
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