[发明专利]LELE双重图形工艺方法有效
| 申请号： | 201711002190.0 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109696797B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 闫观勇;李亮;陈啸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种LELE双重图形工艺方法，所述LELE双重图形工艺方法包括：提供用于转印至晶圆的设计图形，所述设计图形包括多个子图形；对所述设计图形进行第一次分解，使得至少两个子图形分解以满足曝光工艺承受能力；对所述设计图形进行第二次分解，使得至少两个子图形分解以改善OPC异常，所述第二次分解后，所述多个子图形分为两组子图形；将每一组子图形分别制作成一个掩膜版；以及分别以获得的掩膜版对所述晶圆进行光刻刻蚀。由此，通过两次分解，既满足了光刻机的曝光承受能力，又避免子图形之间的相互影响而造成的OPC异常，从而进行曝光时，能够改善图形失真的情况，使得光刻图形更贴近设计图形，可以提高光刻质量。 | ||
| 搜索关键词： | lele 双重 图形 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LELE双重图形工艺方法，其特征在于，包括：提供用于转印至晶圆的设计图形，所述设计图形包括多个子图形；对所述设计图形进行第一次分解，使得至少两个子图形分解以满足曝光工艺承受能力；对所述设计图形进行第二次分解，使得至少两个子图形分解以改善OPC异常，所述第二次分解后，所述设计图形的子图形分为两组子图形；根据每一组子图形分别制作成掩膜版；以及先后以获得的掩膜版对所述晶圆进行光刻刻蚀，以将所述设计图形转印至晶圆。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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