[发明专利]自旋轨道转矩型磁阻效应元件及其制造方法有效
申请号: | 201711002917.5 | 申请日: | 2017-10-24 |
公开(公告)号: | CN108011038B | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 佐佐木智生;盐川阳平 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/12;G11B5/39 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;沈娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的目的在于,提供一种磁记录性优异且磁化反转所需的电流量小的自旋轨道转矩型磁阻效应元件。该自旋轨道转矩型磁阻效应元件具备:磁阻效应元件,其具有磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层;自旋轨道转矩配线,其沿相对于上述磁阻效应元件的层叠方向交叉的第一方向延伸,与上述第二铁磁性金属层接合,上述第二铁磁性金属层的磁化的朝向为上述磁阻效应元件的层叠方向,上述第二铁磁性金属层具有形状各向异性,沿着上述第一方向的长度比沿着与上述第一方向及上述层叠方向正交的第二方向的长度更长。 | ||
搜索关键词: | 自旋 轨道 转矩 磁阻 效应 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种自旋轨道转矩型磁阻效应元件,其具备:磁阻效应元件,其具有磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层;以及自旋轨道转矩配线,其沿相对于所述磁阻效应元件的层叠方向交叉的第一方向延伸,并与所述第二铁磁性金属层接合,所述第二铁磁性金属层的磁化的朝向为所述磁阻效应元件的层叠方向,所述第二铁磁性金属层具有形状各向异性,沿着所述第一方向的长度比沿着与所述第一方向及所述层叠方向正交的第二方向的长度更长。
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