[发明专利]一种长条阵列式纳米发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种长条阵列式纳米发光二极管及其制备方法，在制作过程中在掩膜板上预留激光轨道，能够避免了激光裂片处理时对纳米发光二极管的性能造成影响，提高了产品的优良率；另外，利用Ag纳米粒子的局域表面等离子体增强效应以及良好的散热效果，将由Ag纳米粒子均匀分布形成的Ag金属膜层应用在纳米发光二极管的结构上，不仅增强了纳米发光二极管的散热性能，保证在大电流下高效稳定地工作，提高了纳米发光二极管的使用寿命，而且由于Ag纳米粒子的局域表面等离子体增强效应，能够大幅度提高发光二极管的出光效率。

主权项

一种长条阵列式纳米发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：制作长条阵列式纳米发光二极管所需要的掩膜板；S2：在衬底上设置LED外延片；S3：进行光刻处理，从而获得长条阵列式纳米发光二极管的图案；S4：进行刻蚀处理，从而初步获得长条阵列式纳米发光二极管原型；S5：在长条阵列式纳米发光二极管原型的表面镀制SiO2膜层；S6：在SiO2膜层表面镀制Ag金属材料，然后进行退火处理，促使上述Ag金属材料在SiO2膜层表面生成由Ag纳米粒子均匀分布形成的Ag金属膜层；S7：设置电极位置并进行套刻处理，除去电极位置的SiO2膜层和Ag金属膜层；S8：制备电极；S9：进行激光裂片处理。