[发明专利]一种QLED器件有效
| 申请号： | 201711006886.0 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109713138B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 向超宇;邓天旸;李乐;张滔;辛征航;张东华 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种QLED器件，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其中，所述阳极与所述量子点发光层之间包括由P型半导体和纳米金属颗粒构成的第一薄膜；沿所述第一薄膜的厚度方向，所述P型半导体的质量浓度由低到高。所述具有渐变结构的薄膜应用于QLED器件中，可以调节发峰，增强QLED器件的发光，实现更高效的QLED器件发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 qled 器件 | ||
【主权项】：
1.一种QLED器件，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其特征在于，所述阳极与所述量子点发光层之间包括由P型半导体和纳米金属颗粒构成的第一薄膜；沿所述第一薄膜的厚度方向，所述P型半导体的质量浓度由低到高。
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