[发明专利]基于HfxSi1‑xO2多元氧化物存储材料的电荷存储器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种HfxSi1‑xO2电荷存储材料，借助磁控溅射制备电荷存储器件的方法，可用于非易失性信息存储器件中。其包括将硅衬底置于三靶磁控溅射的衬底台上，然后利用磁控溅射在硅衬底表面顺序生长Hf0.1‑0.2Si1‑xO2隧穿层、Hf0.8‑0.9Si1‑xO2存储层、Hf0.1‑0.2Si1‑xO2阻挡层和金电极，形成电荷存储器件。

主权项

一种电荷存储器件中的存储材料，其特征在于所述存储材料为HfxSi1‑xO2多元氧化物，x取值分为两类，第一类x在0.1‑0.2范围内取值(Hf0.1‑0.2Si1‑xO2)，第二类x在0.8‑0.9范围内取值(Hf0.8‑0.9Si1‑xO2)。