[发明专利]阶梯接触结构、阶梯接触结构的制造方法以及存储器结构有效
| 申请号： | 201711007694.1 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109712958B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 胡志玮;叶腾豪 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种阶梯接触结构、阶梯接触结构的制造方法以及存储器结构。阶梯接触结构包括多层叠层结构以及一第一刻蚀阻挡层。各个叠层结构包括一导电层和一绝缘层，导电层及绝缘层交错叠层。第一刻蚀阻挡层垂直穿过叠层结构并沿一第一水平方向延伸，其中位于第一刻蚀阻挡层一第一侧面的叠层结构的导电层具有多个接点，这些接点沿第一水平方向排列成多个阶层而具有一阶梯结构。 | ||
| 搜索关键词： | 阶梯 接触 结构 制造 方法 以及 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种阶梯接触结构，包括：多层叠层结构，各该叠层结构包括一导电层和一绝缘层，所述导电层及所述绝缘层交错叠层；以及一第一刻蚀阻挡层，垂直穿过所述叠层结构并沿一第一水平方向延伸，其中位于该第一刻蚀阻挡层的一第一侧面的所述叠层结构的所述导电层具有多个接点，所述接点沿该第一水平方向排列成多个阶层而具有一阶梯结构。
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