[发明专利]一种硫铁化合物薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201711007772.8 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107879643B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 郑树启;罗秉伟;温相丽;王思宇;高晋;徐艳迪;魏子云;席春晓 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学(北京);中石化石油工程设计有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 沈金辉 |
| 地址： | 102249*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硫铁化合物薄膜及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：将铁源和硫源置于管式炉的上游区，将经预处理的基底置于管式炉的下游区；在保护气气氛中，将铁源和硫源在190℃‑200℃温度下气化，并将基底在375℃‑575℃温度区域接收沉积，保温180min‑240min后，在基底上获得硫铁化合物薄膜；其中，铁源与硫源的摩尔比为1:1‑1:2，保护气的流速为190sccm‑210sccm。该制备方法采用化学气相沉积法和大容量的石英管能够一次性大批量生产硫化亚铁、黄铁矿和磁黄铁矿等硫铁化合物薄膜；且可以在导电玻璃(FTO)上直接合成相应的硫铁化合物薄膜，大大降低了反应的繁琐性，简化了合成的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硫铁化合物薄膜的制备方法，其特征在于：其包括以下步骤：将铁源和硫源置于管式炉的上游区，将经预处理的基底置于管式炉的下游区；在保护气气氛中，将所述铁源和硫源在190℃‑200℃温度下气化，并将所述基底在375℃‑575℃温度区域接收沉积，保温180min‑240min后，在所述基底上获得硫铁化合物薄膜；其中，所述铁源包括乙酰丙酮铁，所述硫源包括叔丁基二硫；所述铁源与所述硫源的摩尔比为1:1‑1:2，所述保护气的流速为190sccm‑210sccm。
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