[发明专利]双开口谐振环阵列超表面太赫兹多谐振反射式极化器在审
| 申请号： | 201711009046.X | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN108063316A | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 兰峰;杨梓强;史宗君;罗峰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01Q15/24 | 分类号： | H01Q15/24;G02B5/30 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 双开口谐振环阵列超表面太赫兹多谐振反射式极化器，属于电磁波全矢量传输调控器件技术领域，本发明包括衬底介质基片、按N×N阵列方式设置于衬底介质基片上表面的金属谐振单元、设置于衬底介质基片下表面的金属反射层，其特征在于：所述金属谐振单元为正方形的金属环，在正方形相对的两条边上设置有开口，开口处的边缘与正方形的一个边垂直；正方形的边与阵列的行线成45°夹角，所述金属谐振单元为旋转对称，对称中心为正方形的中心；N为整数，N≥30。本发明极化转换效率高、插入损耗小、圆极化相差小、带外抑制明显、结构简单、尺寸小、调控方便、易于加工。 | ||
| 搜索关键词： | 双开 谐振 阵列 表面 赫兹 反射 极化 | ||
【主权项】：
1.双开口谐振环阵列超表面太赫兹多谐振反射式极化器，包括衬底介质基片、按N×N阵列方式设置于衬底介质基片上表面的金属谐振单元、设置于衬底介质基片下表面的金属反射层，其特征在于：所述金属谐振单元为正方形的金属环，在正方形相对的两条边上设置有开口，开口处的边缘与正方形的一个边垂直；正方形的边与阵列的行线成45°夹角，所述金属谐振单元为旋转对称，对称中心为正方形的中心；N为整数，N≥30。
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