[发明专利]一种提高SSD综合性能的方法在审
| 申请号： | 201711010304.6 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107832007A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 许毅;姚兰;郑春阳 | 申请（专利权）人： | 记忆科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F12/0811 |
| 代理公司： | 广东广和律师事务所44298 | 代理人： | 董红海 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区蛇口街道蛇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高SSD综合性能的方法,其特征在于固态硬盘控制器的写缓存采用2级缓存,第一级为部分写缓存,第二级为满写缓存；部分写缓存和满写缓存以物理页大小为一个缓存页单位进行管理,一个物理页包括N个主机的逻辑数据块；固态硬盘控制器新收到主机的写命令是,优先将数据写入部分写缓存中,当部分写缓存中的某个缓存页数据被写满,则将该部分写缓存中的缓存页的数据搬移到满写缓存中；固态硬盘控制器的后台只执行将满写缓存中缓存的数据写入实际的FLASH存储空间中；部分写缓存暂时不写入实际的FLASH存储空间中。通过设置两级缓存，保证实际写入FLASH的存储空间的每个页是满数据的，大大降低读改写RMW触发的概率，明显提升SSD的综合性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 ssd 综合 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种提高SSD综合性能的方法,其特征在于固态硬盘控制器的写缓存采用2级缓存,第一级为部分写缓存,第二级为满写缓存；部分写缓存和满写缓存以物理页大小为一个缓存页单位进行管理,一个物理页包括N个主机的逻辑数据块；固态硬盘控制器新收到主机的写命令是,优先将数据写入部分写缓存中,当部分写缓存中的某个缓存页数据被写满,则将该部分写缓存中的缓存页的数据搬移到满写缓存中；固态硬盘控制器的后台只执行将满写缓存中缓存的数据写入实际的FLASH存储空间中；部分写缓存暂时不写入实际的FLASH存储空间中。
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