[发明专利]一种低阈值小发散角980nm半导体激光器外延结构在审
| 申请号： | 201711010385.X | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107732656A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 李林;曾丽娜;李再金;赵志斌;李特;曲轶;彭鸿雁;张铁民 | 申请（专利权）人： | 海南师范大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 571158 *** | 国省代码： | 海南;46 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种低阈值小发散角半导体激光器外延结构，包括顺次连接的衬底（1）、缓冲层（2）、n型下限制层（3）、n型下模式扩展层（4）、n型下低折射率层（5）、渐变下波导层（6）、下势垒层（7）、有源层（8）、上势垒层（9）、渐变上波导层（10）、p型上低折射率层（11）、p型上模式扩展层（12）、p型上限制层（13）和欧姆接触层（14）；通过优化设计低折射率层（5）和（11），以及模式扩展层（4）和（12）。通过上述方式，本发明设计了一种新型的外延结构，引入了低折射率层和模式扩展层来降低激光器垂直发散角，能够获得激光器小发散角，同时具有较小的阈值电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阈值 发散 980 nm 半导体激光器 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种低阈值小发散角980nm半导体激光器外延结构，其特征在于，包括：衬底（1）、缓冲层（2）、n型下限制层（3）、n型下模式扩展层（4）、n型下低折射率层（5）、渐变下波导层（6）、下势垒层（7）、有源层（8）、上势垒层（9）、渐变上波导层（10）、p型上低折射率层（11）、p型上模式扩展层（12）、p型上限制层（13）和欧姆接触层（14）。
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