[发明专利]一种半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基板在审
| 申请号： | 201711011909.7 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109713563A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 徐建卫 | 申请（专利权）人： | 上海矽安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/022 |
| 代理公司： | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 周高 |
| 地址： | 200233 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基板，涉及光电子器件领域，包括一硅衬底，所述硅衬底表面设有由深能级杂质元素扩散形成的高阻硅层，所述高阻硅层的厚度为10~600微米，所述高阻硅层上设有由波导材料制成的用于高频传输用的共面波导，所述硅衬底表面还纵向设有一定位V型槽，该定位V型槽一端向外延伸为开口、另一端与高阻硅层相连，本发明的目的是提出一种新型半导体激光器无源耦合与高频封装用硅基板，该硅基板采用廉价的低阻硅作为硅衬底，通过金元素扩散，形成几十到几百微米深度的高阻硅层，在扩散形成的高阻硅层上制作用于高频传输用的共面波导，本方法制备工艺简单，生产效率高，适宜用于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 高阻 硅层 硅基板 高频封装 半导体激光器 无源对准耦合 硅衬底表面 高频传输 共面波导 硅衬底 光电子器件领域 深能级杂质 新型半导体 扩散 波导材料 生产效率 无源耦合 元素扩散 制备工艺 激光器 金元素 低阻 开口 延伸 制作 生产 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基板，其特征在于，包括一硅衬底，所述硅衬底表面设有由深能级杂质元素扩散形成的高阻硅层，所述高阻硅层的厚度为10~600微米，所述高阻硅层上设有由波导材料制成的用于高频传输用的共面波导，所述硅衬底表面还纵向设有一定位V型槽，该定位V型槽一端向外延伸为开口、另一端与高阻硅层相连。
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