[发明专利]一种翘曲共烧陶瓷基板上薄膜电路制作方法有效
申请号: | 201711012188.1 | 申请日: | 2017-10-26 |
公开(公告)号: | CN107871704B | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 王列松;薛新忠;高永全;朱小明;陈洋 | 申请(专利权)人: | 苏州华博电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/70 | 分类号: | H01L21/70;H01L21/027 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人: | 夏平 |
地址: | 215600 江苏省苏州市张家港市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种翘曲共烧陶瓷基板上无需打磨制作薄膜电路的方法,包括以下步骤:1)在翘曲共烧陶瓷基板上喷涂BCB胶液,然后按BCB固化温度曲线在氮气气氛炉中固化;2)在固化后的BCB介质层上喷涂正性光刻胶,前烘后用激光束曝光正对通孔柱处的正性光刻胶,显影去除曝光后的正对通孔柱处的光刻胶,对光刻胶进行后烘;3)用氧/四氟化碳等离子体刻蚀BCB介质以露出通孔柱,然后用氧等离子体或去胶液去掉残留的光刻胶掩膜;4)基于喷涂正性光刻胶和激光束光刻制作底层薄膜电路;5)基于喷涂正性光刻胶和激光束光刻制作后续各层薄膜电路。 | ||
搜索关键词: | 一种 翘曲共烧 陶瓷 基板上 薄膜 电路 制作方法 | ||
【主权项】:
一种翘曲共烧陶瓷基板上薄膜电路制作方法,包括以下步骤:1)在翘曲共烧陶瓷基板上喷涂BCB胶液,然后按BCB固化温度曲线在氮气气氛炉中固化;2)在固化后的BCB介质层上喷涂正性光刻胶,前烘后用激光束曝光正对通孔柱处的正性光刻胶,显影去除曝光后的正对通孔柱处的光刻胶,对光刻胶进行后烘;3)用氧/四氟化碳等离子体刻蚀BCB介质以露出通孔柱,然后用氧等离子体或去胶液去掉残留的光刻胶掩膜;4)基于喷涂正性光刻胶和激光束光刻制作底层薄膜电路:用氧/四氟化碳等离子体清洗BCB表面,然后溅射Ti/Cu种子层金属,喷涂正性光刻胶并前烘,用激光束曝光薄膜电路图形,显影去除曝光后的光刻胶,电镀Cu/Au;然后去除剩余光刻胶,湿法腐蚀掉种子层Ti/Cu,制成基板上第一层薄膜电路;5)基于喷涂正性光刻胶和激光束光刻制作后续各层薄膜电路:单层薄膜电路制作流程为,首先电镀铜通孔柱,再喷涂一层非光敏有机介质材料并固化,激光烧蚀露出通孔柱,然后溅射Ti/Cu种子层金属,喷涂正性光刻胶并前烘,用激光束曝光薄膜电路图形,显影去除曝光后的光刻胶并后烘,电镀Cu/Au;然后去除剩余光刻胶,湿法腐蚀掉种子层Ti/Cu,制成薄膜电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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