[发明专利]一种翘曲共烧陶瓷基板上薄膜电路制作方法有效

专利信息
申请号: 201711012188.1 申请日: 2017-10-26
公开(公告)号: CN107871704B 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 王列松;薛新忠;高永全;朱小明;陈洋 申请(专利权)人: 苏州华博电子科技有限公司
主分类号: H01L21/70 分类号: H01L21/70;H01L21/027
代理公司: 南京天华专利代理有限责任公司 32218 代理人: 夏平
地址: 215600 江苏省苏州市张家港市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种翘曲共烧陶瓷基板上无需打磨制作薄膜电路的方法,包括以下步骤:1)在翘曲共烧陶瓷基板上喷涂BCB胶液,然后按BCB固化温度曲线在氮气气氛炉中固化;2)在固化后的BCB介质层上喷涂正性光刻胶,前烘后用激光束曝光正对通孔柱处的正性光刻胶,显影去除曝光后的正对通孔柱处的光刻胶,对光刻胶进行后烘;3)用氧/四氟化碳等离子体刻蚀BCB介质以露出通孔柱,然后用氧等离子体或去胶液去掉残留的光刻胶掩膜;4)基于喷涂正性光刻胶和激光束光刻制作底层薄膜电路;5)基于喷涂正性光刻胶和激光束光刻制作后续各层薄膜电路。
搜索关键词: 一种 翘曲共烧 陶瓷 基板上 薄膜 电路 制作方法
【主权项】:
一种翘曲共烧陶瓷基板上薄膜电路制作方法,包括以下步骤:1)在翘曲共烧陶瓷基板上喷涂BCB胶液,然后按BCB固化温度曲线在氮气气氛炉中固化;2)在固化后的BCB介质层上喷涂正性光刻胶,前烘后用激光束曝光正对通孔柱处的正性光刻胶,显影去除曝光后的正对通孔柱处的光刻胶,对光刻胶进行后烘;3)用氧/四氟化碳等离子体刻蚀BCB介质以露出通孔柱,然后用氧等离子体或去胶液去掉残留的光刻胶掩膜;4)基于喷涂正性光刻胶和激光束光刻制作底层薄膜电路:用氧/四氟化碳等离子体清洗BCB表面,然后溅射Ti/Cu种子层金属,喷涂正性光刻胶并前烘,用激光束曝光薄膜电路图形,显影去除曝光后的光刻胶,电镀Cu/Au;然后去除剩余光刻胶,湿法腐蚀掉种子层Ti/Cu,制成基板上第一层薄膜电路;5)基于喷涂正性光刻胶和激光束光刻制作后续各层薄膜电路:单层薄膜电路制作流程为,首先电镀铜通孔柱,再喷涂一层非光敏有机介质材料并固化,激光烧蚀露出通孔柱,然后溅射Ti/Cu种子层金属,喷涂正性光刻胶并前烘,用激光束曝光薄膜电路图形,显影去除曝光后的光刻胶并后烘,电镀Cu/Au;然后去除剩余光刻胶,湿法腐蚀掉种子层Ti/Cu,制成薄膜电路。
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