[发明专利]半导体器件及制造其的方法有效
| 申请号： | 201711012306.9 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107993996B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 张炳铉;刘东哲;张祐赈;安宰永;梁俊圭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/40 | 分类号： | H01L23/40;H01L21/822;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括在衬底上垂直地一个堆叠在另一个顶部的字线、字线之间的绝缘图案、连接到衬底的垂直柱、以及字线侧面处的在衬底上的剩余牺牲图案。垂直柱穿透字线和绝缘图案。绝缘图案的每个包括字线之间的第一部分以及从第一部分延伸并在剩余牺牲图案之间的第二部分。第一部分的第一厚度小于第二部分的第二厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上垂直地一个堆叠在另一个上的字线；在所述字线之间的绝缘图案，所述绝缘图案的每个包括在所述字线之间的第一部分以及从所述第一部分延伸的第二部分，所述第一部分的第一厚度小于所述第二部分的第二厚度；连接到所述衬底的垂直柱，所述垂直柱穿透所述字线和所述绝缘图案；以及剩余牺牲图案，其分别在所述字线的侧面处在所述衬底上使得所述绝缘图案的所述第二部分在所述剩余牺牲图案之间。
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