[发明专利]双沟道HEMT太赫兹探测器有效
| 申请号： | 201711015956.9 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107863360B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 林启敬;孟庆之;蒋维乐;景蔚萱;韩枫 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;H01L29/10 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于双沟道HEMT的太赫兹波探测器，包含双沟道HEMT单元和能够耦合太赫兹波的天线。本发明所提出的双沟道HEMT太赫兹探测器采用半导体制造工艺，将太赫兹波天线与HEMT集成一体，结构紧凑，有利于探测器的阵列化和规模化生产，能够有效提高器件的导通电流，增大探测器的响应度和灵敏度，提升探测器的稳定性，进而实现对太赫兹波快速、准确的探测。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 hemt 赫兹 探测器 | ||
【主权项】：
一种基于双沟道HEMT的太赫兹波探测器，其特征在于：所述基于双沟道HEMT的太赫兹波探测器包含双沟道HEMT单元和能够耦合太赫兹波的天线，所述天线与双沟道HEMT的源、栅电极相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
