[发明专利]超低功耗全CMOS基准电路系统在审
| 申请号： | 201711016255.7 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107943196A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 沈怿皓 | 申请（专利权）人： | 丹阳恒芯电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212300 江苏省镇*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超低功耗全CMOS基准电路系统，包括一启动电路，用于驱动所述基准电路，启动更稳定，系统更稳定；一微电流产生电路，为所述基准电路的运算放大电路提供工作电流，其核心是MOS管工作在亚阈值区，因此整体工作电流为低至纳安级的电流，功耗非常小；一运算放大电路，最大程度减小因电流变化对电路产生的影响；一核心基准电路，产生核心的基准电流和基准电压，产生基准电压的精度非常高，由于整个电路中没有采用电阻，也没有采用三极管，全部都是MOS晶体管，所以总体电路的面积非常小，该电路的温度系数还是可以根据测试情况进行调节。 | ||
| 搜索关键词： | 功耗 cmos 基准 电路 系统 | ||
【主权项】：
超低功耗全CMOS基准电路系统，包括：一启动电路，用于驱动所述基准电路，启动更稳定，系统更稳定；一微电流产生电路，为所述基准电路的运算放大电路提供工作电流，其核心是MOS管工作在亚阈值区，因此整体工作电流为低至纳安级的电流，功耗非常小；一运算放大电路，最大程度减小因电流变化对电路产生的影响；一核心基准电路，采用共源共栅结构，产生的基准电压的精度也非常高，由于整个电路中没有采用电阻，也没有采用三极管，全部都是MOS晶体管，所以总体电路的面积非常小。
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