[发明专利]RC-IGBT器件的背面结构制备方法

摘要

本发明涉及一种RC‑IGBT器件的背面结构制备方法，其包括如下步骤：步骤1、提供制备有正面元胞结构的RC‑IGBT晶圆；步骤2、进行P型杂质离子注入；步骤3、激活注入到RC‑IGBT晶圆背面的P型杂质离子；步骤4、向上述RC‑IGBT晶圆背面注入N型杂质离子；步骤5、将激活基片键合在上述RC‑IGBT晶圆的背面；步骤6、在RC‑IGBT晶圆背面形成所需图形化分布的P型掺杂区域与N型掺杂区域；步骤7、将激活基片与RC‑IGBT晶圆的背面分离，并对上述RC‑IGBT晶圆的背面金属化。本发明工艺步骤简单，能够省去RC‑IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC‑IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，与现有工艺兼容，安全可靠。

主权项

1.一种RC‑IGBT器件的背面结构制备方法，其特征是，所述背面结构的制备方法包括如下步骤：步骤1、提供制备有正面元胞结构的RC‑IGBT晶圆，并将所述RC‑IGBT晶圆的背面减薄至所需的厚度；步骤2、对上述减薄后RC‑IGBT晶圆背面进行P型杂质离子注入；步骤3、利用激光激活方式激活注入到RC‑IGBT晶圆背面的P型杂质离子；步骤4、向上述RC‑IGBT晶圆背面注入N型杂质离子，其中，N型杂质离子的注入剂量大于P型杂质离子的注入剂量；步骤5、提供具有激活图形的激活基片，并将所述激活基片键合在上述RC‑IGBT晶圆的背面；步骤6、利用上述激活基片的激活图形对注入到RC‑IGBT晶圆背面的N型杂质离子进行激活，以在RC‑IGBT晶圆背面形成所需图形化分布的P型掺杂区域与N型掺杂区域；步骤7、将激活基片与RC‑IGBT晶圆的背面分离，并对上述RC‑IGBT晶圆的背面金属化，以得到与P型掺杂区域、N型掺杂区域欧姆接触的集电极金属；所述激活基片的形状与RC‑IGBT晶圆相一致，激活图形贯通激活基片，进行激活的激光能通过激活图形激活RC‑IGBT晶圆背面相应的N型杂质离子。