[发明专利]基于WO3栅介质的金刚石场效应晶体管及制作方法在审
| 申请号： | 201711017935.0 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107919390A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张金风;苏凯;徐佳敏;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/78;H01L21/04 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心61205 | 代理人： | 王品华,朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于WO3栅介质的金刚石场效应晶体管及制作方法，主要解决了现有金刚石场效应晶体管跨导低和稳定性差的问题。其自下而上包括金刚石衬底(1)、氢终端表面(2)和栅介质层(3)，栅介质层(3)的上面是栅电极(4)，栅介质层(3)的两侧分别设有源电极(5)和漏电极(6)，栅、源和漏电极的表面覆盖有钝化层(7)，钝化层(7)与栅、源和漏电极的键合处分别设有通孔(8)。其中栅介质层采用具有转移掺杂作用的WO3材料，钝化层采用WO3材料，源、漏电极材料为Au，栅电极材料为Al。本发明具有导通电阻低，跨导高的优点，用于微波电路或高温数字电路。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 wo3 介质 金刚石 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于WO3栅介质的金刚石场效应晶体管，自下而上包括金刚石衬底(1)、氢终端表面(2)和栅介质层(3)，栅介质层(3)的上面是栅电极(4)，栅介质层(3)的两侧分别设有源电极(5)和漏电极(6)，栅电极(4)、源电极(5)和漏电极(6)的表面覆盖有钝化层(7)，钝化层(7)与栅电极(4)、源电极(5)和漏电极(6)的键合处分别设有通孔(8)，其特征在于：栅介质层(3)采用厚度为10～40nm的WO3材料；钝化层(7)采用30～100nm的WO3材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711017935.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种长输埋地管道泄漏的分布式光电一体化主动监测系统
- 下一篇：LED照明灯
- 同类专利
- 专利分类
