[发明专利]基于CaF2栅介质的零栅源间距金刚石场效应晶体管及制作方法

摘要

本发明公开了一种基于CaF2栅介质层的零栅源间距金刚石场效应晶体管及制作方法，主要解决现有技术导通电阻较大，输出电流和跨导较低的问题。其包括金刚石衬底(1)、氢终端表面(2)、栅介质层(3)、源漏电极(4)和栅电极(5)。源、漏电极位于氢终端表面上的两侧。栅介质层位于源、漏电极之间的氢终端表面上并覆盖源、漏电极的部分表面，且栅介质层的上方设有栅电极，栅电极的下半部分镶嵌在源、漏电极之间，上半部分隔着栅介质覆盖在源、漏电极之上，形成T型栅结构，该栅极分别与源漏极之间的间距都为零；栅介质(3)采用CaF2材料。本发明具有导通电阻小，跨导高以及饱和电流大的优点，可用于功率器件和数字逻辑电路器件等。

主权项

一种基于CaF2栅介质的零栅源间距金刚石场效应晶体管，包括金刚石衬底(1)、氢终端表面(2)、栅介质层(3)、源漏电极(4)以及栅电极(5)。源、漏电极(4)位于氢终端表面(2)上的两侧，栅介质层(3)位于源、漏电极(4)之间的氢终端表面(2)上并覆盖源、漏电极(4)的部分表面，其特征在于：栅介质层(3)的上方设有栅电极(5)，栅电极(5)的下半部分镶嵌在源、漏电极之间，上半部分隔着栅介质覆盖在源、漏电极之上，形成T型栅结构；栅极与源极和栅极与漏极之间的间距都为零；栅介质(3)采用CaF2。