[发明专利]共晶式异方性导电膜及制作方法

摘要

一种共晶式异方性导电膜及制作方法，包括：备制具有电气绝缘性的电气绝缘基材；备制多个包含核体以及合金披覆层的共晶式导电球；加入所述共晶式导电球至电气绝缘基材而混合成初步混合体；利用搅拌装置搅拌初步混合体形成均匀混合体；利用刮刀装置将均匀混合体在基板上涂布成具特定厚度的薄膜体；以及进行加热烘干处理以形成薄膜体，并经冷却后形成共晶式异方性导电膜。本发明的共晶式异方性导电膜可在加热加压下与上层本体及下层本体形成共晶结合，不仅改善表面接触贴合性，还能增强结合强度，大幅降低界面电阻值，提高电气特性。

主权项

1.一种共晶式异方性导电膜，其特征在于，用以藉一共晶方式而结合位于该共晶式异方性导电膜的一上表面的一上层本体以及位于该共晶式异方性导电膜的一下表面的一下层本体，包括：一电气绝缘基材，具有电气绝缘性及可挠性；以及多个共晶式导电球，分布于该电气绝缘基材中，且所述共晶式导电球占该共晶式异方性导电膜的重量比为0.1至25％，其中每个该共晶式导电球包含一核体以及一合金披覆层，该合金披覆层是披覆在该核体的一外表面上，并具导电性，且是由一铜铟锡合金材料或一锡银铋合金材料构成，该铜铟锡合金材料包含铜、铟及锡，且该铜铟锡合金材料中的铜占该铜铟锡合金材料的1至5％莫耳比，该铜铟锡合金材料中的铟占该铜铟锡合金材料的5至10％莫耳比，而该铜铟锡合金材料中的锡占该铜铟锡合金材料的95至85％莫耳比，该锡银铋合金材料包含锡、银及铋，且该锡银铋合金材料中的锡占该锡银铋合金材料的30至70％莫耳比，该锡银铋合金材料中的银占该锡银铋合金材料的1至5％莫耳比，该锡银铋合金材料中的铋占该锡银铋合金材料的20至70％莫耳比，该合金披覆层的熔点为150至200℃之间，该核体的直径为2至50微米之间，该合金披覆层的直径为0.01至0.15微米之间。