[发明专利]一种端射圆极化毫米波天线在审
申请号: | 201711018250.8 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN107978853A | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
发明(设计)人: | 涂治红;饶雪琴;甘正 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q9/28;H01P3/00 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人: | 李君 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种端射圆极化毫米波天线,包括基片集成波导、第一介质基片和电偶极子,所述基片集成波导具有第一开口端和第二开口端,第一开口端作为信号馈入点,第二开口端作为磁偶极子,所述磁偶极子与电偶极子相连,所述电偶极子设置在第一介质基片上,所述第一介质基片设置在基片集成波导的第二开口端上。本发明具有端射圆极化性能,工作于毫米波频段,中心工作频率为47GHz,且具有低剖面、结构简单、可集成和组成阵列等优点,可应用于短距离点对点通信系统中。 | ||
搜索关键词: | 一种 端射圆 极化 毫米波 天线 | ||
【主权项】:
一种端射圆极化毫米波天线,其特征在于:包括基片集成波导、第一介质基片和电偶极子,所述基片集成波导具有第一开口端和第二开口端,第一开口端作为信号馈入点,第二开口端作为磁偶极子,所述磁偶极子与电偶极子相连,所述电偶极子设置在第一介质基片上,所述第一介质基片设置在基片集成波导的第二开口端上。
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