[发明专利]半导体存储装置及其读出方法有效
| 申请号： | 201711019110.2 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN108022623B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 小嶋英充 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置及其读出方法。本发明的快闪存储器包括：存储胞元阵列；页面缓冲器/读出电路，保持存储胞元阵列的选择页面的数据；解码/选择电路，基于列地址，从由页面缓冲器所保持的数据中选择n位数据；以及n位的数据总线，连接于解码/选择电路。解码/选择电路进而基于列地址，将n/2位的偶数地址的数据连接至数据总线的下位，且将n/2位的奇数地址的数据连接至所述数据总线的上位，进而，在开始地址为奇数地址的情况下，选择奇数地址的数据与所述奇数地址的下个偶数地址的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 读出 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：存储胞元阵列；行选择部件，选择所述存储胞元阵列的行；保持部件，保持由所述行选择部件所选择的数据；选择部件，基于列地址，从由所述保持部件所保持的数据中选择n位数据；以及n位的数据总线，连接于所述选择部件，所述选择部件进而基于所述列地址，将n/2位的偶数地址的数据连接至所述数据总线的下位，且将n/2位的奇数地址的数据连接至所述数据总线的上位，所述选择部件进而在开始地址为奇数地址的情况下，选择所述奇数地址的数据与所述奇数地址的下个偶数地址的数据。
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