[发明专利]一种提取纳米MOSFET中源/漏寄生电阻的恒定迁移率方法在审
| 申请号： | 201711020207.5 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107944088A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 鲁明亮;马丽娟 | 申请（专利权）人： | 鲁明亮 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 苏州中合知识产权代理事务所(普通合伙)32266 | 代理人： | 龙涛 |
| 地址： | 210019 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提取纳米MOSFET中源/漏寄生电阻的恒定迁移率方法，包括以下步骤(1)纳米CMOS器件中，测量不同源漏电压Vds条件下的阈值电压VT、线性区漏极电流Ids；(2)根据测量结果选取合适的外加偏压条件，保证沟道迁移率在该条件下恒定不变；(3)在合适的外加偏压条件下，根据线性区漏极电流Ids模型，计算出源/漏寄生电阻R值。此方法的提出，使得针对纳米CMOS器件参数的研究得到了进一步发展，有利于促进纳米CMOS器件可靠性探测的发展。该提取方法的测量精度高；广泛应用于CMOS、SONOS、FLASH等多种MOS器件结构；而且实验方法简单，易操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提取 纳米 mosfet 寄生 电阻 恒定 迁移率 方法 | ||
【主权项】：
一种提取纳米MOSFET中源/漏寄生电阻的恒定迁移率方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)纳米CMOS器件中，测量不同源漏电压Vds条件下的阈值电压VT、线性区漏极电流Ids；(2)根据测量结果选取合适的外加偏压条件，保证沟道迁移率在该条件下恒定不变；(3)在合适的外加偏压条件下，根据线性区漏极电流Ids模型，计算出源/漏寄生电阻R值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鲁明亮，未经鲁明亮许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711020207.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
