[发明专利]形成半导体器件结构的方法以及半导体器件结构

摘要

本公开的实施例涉及形成半导体器件结构的方法以及半导体器件结构。本公开提供了一种半导体器件结构，其包括在半导体衬底的第一区域之中和上方的非易失性存储器(NVM)器件结构和在不同于第一区域的半导体衬底的第二区域之中和上方形成的逻辑器件。NVM器件结构包括浮置栅极、第一选择栅极和至少一个控制栅极。逻辑器件包括设置在第二区域上的逻辑栅极和设置在与逻辑栅极邻近的第二区域中的源极/漏极区域。控制栅极在浮置栅极之上延伸，以及第一选择栅极通过绝缘材料层部分与浮置栅极横向隔开。在形成半导体器件结构时，浮置栅极在形成控制栅极和逻辑器件之前形成。

主权项

1.一种形成半导体器件结构的方法，包括：在半导体衬底的第一区域之中和上方形成非易失性存储器(NVM)器件结构，所述NVM器件结构包括浮置栅极、第一选择栅极和至少一个控制栅极，其中所述控制栅极在所述浮置栅极之上延伸，并且其中所述第一选择栅极通过绝缘材料层部分与所述浮置栅极横向隔开；以及在不同于所述第一区域的所述半导体衬底的第二区域之中和上方形成逻辑器件，其中所述逻辑器件包括设置在所述第二区域上的逻辑栅极和设置在与所述逻辑栅极邻近的所述第二区域中的源极/漏极区域；其中所述浮置栅极在形成所述控制栅极和所述逻辑器件之前形成。