[发明专利]一种低氧铜烧结DBC半导体热电基片的生产方法

摘要

本发明公开了一种低氧铜烧结DBC半导体热电基片的生产方法，属于半导体技术领域。包括以下步骤：瓷片表面印胶点、装配和烧结的过程。本发明选取Al2O3陶瓷基片，将胶点按照导流条尺寸用相应尺寸丝网印至Al2O3陶瓷基片表面；先将导流条筛入模具中；然后把步骤A中Al2O3陶瓷基片表面印上胶点的基片扣入筛满导流条的模具中；将步骤B中装配好的DBC半导体热电基片半成品放入高温且氮气纯度为99.999％的体系中直接键合而成的DBC半导体热电基片。本发明采用Al2O3陶瓷基片与低氧铜直接覆铜烧结而成。不同于现有的采用Al2O3陶瓷基片与经过氧化处理后的无氧铜覆铜烧结，本发明所述方法直接通过烧结即可得到需要的图形，不需要烧结前导流条氧化处理。

主权项

1.一种低氧铜烧结DBC半导体热电基片的生产方法，其特征在于：包括以下步骤：A.瓷片表面印胶点选取Al2O3陶瓷基片，将胶点按照导流条尺寸用相应尺寸丝网印至Al2O3陶瓷基片表面；B.装配先将导流条筛入模具中；然后把步骤A中Al2O3陶瓷基片表面印上胶点的基片扣入筛满导流条的模具中；C.烧结将步骤B中装配好的DBC半导体热电基片半成品放入高温且氮气纯度为99.999％的体系中直接键合而成的DBC半导体热电基片；在步骤B中，导流条自身含氧量为510~520ppm，所述导流条采用的是低氧铜粒子；在步骤C中，依次经过排胶、烧结和冷却三个步骤；所述排胶是指烧结体系在升温到500℃之前，体系内部胶点被熔化炭化挥发；导流条自身含氧量510~520ppm与Al2O3陶瓷基片在1000℃~1100℃烧结；烧结后冷却至80℃以内；在步骤C中，500℃前完成排胶，500℃时氧含量控制在9.8~10.2ppm之间，烧结温度点1000℃~ 1100℃时氧含量控制在2~10ppm之间。