[发明专利]一种低氧铜烧结DBC半导体热电基片的生产方法有效

专利信息
申请号: 201711020540.6 申请日: 2017-10-26
公开(公告)号: CN107819066B 公开(公告)日: 2018-10-16
发明(设计)人: 田茂标;刘瑞生;阎利民 申请(专利权)人: 成都万士达瓷业有限公司
主分类号: H01L35/34 分类号: H01L35/34;H01L35/02
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人: 苏丹
地址: 611332 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种低氧铜烧结DBC半导体热电基片的生产方法,属于半导体技术领域。包括以下步骤:瓷片表面印胶点、装配和烧结的过程。本发明选取Al2O3陶瓷基片,将胶点按照导流条尺寸用相应尺寸丝网印至Al2O3陶瓷基片表面;先将导流条筛入模具中;然后把步骤A中Al2O3陶瓷基片表面印上胶点的基片扣入筛满导流条的模具中;将步骤B中装配好的DBC半导体热电基片半成品放入高温且氮气纯度为99.999%的体系中直接键合而成的DBC半导体热电基片。本发明采用Al2O3陶瓷基片与低氧铜直接覆铜烧结而成。不同于现有的采用Al2O3陶瓷基片与经过氧化处理后的无氧铜覆铜烧结,本发明所述方法直接通过烧结即可得到需要的图形,不需要烧结前导流条氧化处理。
搜索关键词: 一种 低氧 烧结 dbc 半导体 热电 生产 方法
【主权项】:
1.一种低氧铜烧结DBC半导体热电基片的生产方法,其特征在于:包括以下步骤:A.瓷片表面印胶点选取Al2O3陶瓷基片,将胶点按照导流条尺寸用相应尺寸丝网印至Al2O3陶瓷基片表面;B.装配先将导流条筛入模具中;然后把步骤A中Al2O3陶瓷基片表面印上胶点的基片扣入筛满导流条的模具中;C.烧结将步骤B中装配好的DBC半导体热电基片半成品放入高温且氮气纯度为99.999%的体系中直接键合而成的DBC半导体热电基片;在步骤B中,导流条自身含氧量为510~520ppm,所述导流条采用的是低氧铜粒子;在步骤C中,依次经过排胶、烧结和冷却三个步骤;所述排胶是指烧结体系在升温到500℃之前,体系内部胶点被熔化炭化挥发;导流条自身含氧量510~520ppm与Al2O3陶瓷基片在1000℃~1100℃烧结;烧结后冷却至80℃以内;在步骤C中,500℃前完成排胶,500℃时氧含量控制在9.8~10.2ppm之间,烧结温度点1000℃~ 1100℃时氧含量控制在2~10ppm之间。
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