[发明专利]压力传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201711020901.7 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107907251B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 李昆;李文杰;冯叶;钟国华;童君;隋帆;杨春雷 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;B32B9/00;B32B9/04;B32B33/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种压力传感器及其制备方法，压力传感器包括薄膜晶体管及设于薄膜晶体管上的敏感层，薄膜晶体管包括半导体层和金属电极，所述金属电极包括设于所述半导体层顶部的栅极，敏感层包括上敏感层，上敏感层的下表面具有微结构阵列，微结构阵列包括多个阵列设置的微结构，敏感层还包括覆盖于微结构阵列表面的第一导电层，第一导电层与栅极电性连接。本发明提供的压力传感器包括薄膜晶体管和敏感层，敏感层包括具有微结构阵列的上敏感层和覆盖于微结构阵列表面的第一导电层，通过在敏感层上设置微结构阵列，使得所述压力传感器具有高灵敏度的同时兼顾具有大的测量范围，且所述压力传感器的结构简单，简化了制备工艺、降低了制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种压力传感器，其特征在于，包括薄膜晶体管及设于所述薄膜晶体管上的敏感层，所述薄膜晶体管包括半导体层和金属电极，所述金属电极包括设于所述半导体层顶部的栅极，所述敏感层包括上敏感层，所述上敏感层的下表面具有微结构阵列，所述微结构阵列包括多个阵列设置的微结构，所述敏感层还包括覆盖于所述微结构阵列表面的第一导电层，所述第一导电层与所述栅极电性连接。
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