[发明专利]一种具有混合导电模式的超结IGBT器件有效
| 申请号： | 201711020958.7 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107768429B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 张金平;赵倩;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/739 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明提供一种具有混合导电模式的超结IGBT器件，包括相间排列的N+集电区和P型集电区、N型缓冲层、超结N柱区和超结P柱区组成的超结漂移区、沟槽MOS结构、二氧化硅层，二氧化硅层的上表面深入N型缓冲层和超结漂移区并与超结P柱区相接触，二氧化硅层将超结P柱区两边的N型缓冲层相隔离；超结漂移区与表面MOS结构Pbody基区不相接触，本发明所提出的一种具有混合导电模式的超结IGBT，经仿真验证可以完全消除传统SJ‑RC‑IGBT的Snapback现象，而且可以通过调整N |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 混合 导电 模式 igbt 器件 | ||
【主权项】：
一种具有混合导电模式的超结IGBT器件，包括相间排列的N+集电区(10)和P型集电区(12)，在所述N+集电区(10)和P型集电区(12)上表面具有N型缓冲层(9)，所述N型缓冲层(9)上表面具有由超结N柱区(7)和超结P柱区(8)组成的超结漂移区，在所述超结漂移区表面具有由N+源区(1)、P+接触区(2)、多晶硅栅电极(3)、发射极(4)、Pbody基区(5)组成的沟槽MOS结构，在器件下表面还具有集电极(11)，其特征在于：在所述N+集电区(10)和P型集电区(12)之间具有二氧化硅层(13)，所述二氧化硅层(13)的下表面与集电极(11)相接触，二氧化硅层(13)的上表面深入N型缓冲层(9)和超结漂移区并与超结P柱区(8)相接触，所述二氧化硅层(13)将超结P柱区(8)两边的N型缓冲层(9)相隔离；所述超结漂移区与表面MOS结构Pbody基区(5)不相接触。
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