[发明专利]晶圆加工装置及其加工方法在审
| 申请号： | 201711021766.8 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107871703A | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 田得暄;李瑞杰;辛君;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 徐文欣,吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆加工装置及其加工方法，装置包括吸盘，所述吸盘包括吸附板和背板，所述吸附板和背板围成空腔，所述吸附板中具有气孔，所述气孔贯穿所述吸附板，且与所述空腔相互贯通；第一管道，所述第一管道包括第一连接端和第二连接端，所述第一连接端与所述吸盘连接，且所述第一管道与所述空腔相互贯通；第二管道，所述第二管道与所述第二连接端连通，所述第二管道设置有第一阀门；第三管道，所述第三管道用于向所述空腔中通入释放气体，使所述晶圆与吸盘分离，所述第三管道与所述第二连接端连通。所述晶圆加工装置能够增加晶圆释放成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆加工装置，其特征在于，包括：吸盘，所述吸盘包括吸附板和背板，所述吸附板和背板围成空腔，所述吸附板中具有气孔，所述气孔贯穿所述吸附板，且与所述空腔贯通；第一管道，所述第一管道包括第一连接端和第二连接端，所述第一连接端与所述吸盘连接，且所述第一管道与所述空腔连通；第二管道，所述第二管道与所述第二连接端连通，所述第二管道设置有第一阀门；第三管道，所述第三管道与所述第二连接端连通，且所述第三管道与所述第一管道连通用于向所述空腔中通入释放气体，使所述晶圆与吸盘分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
