[发明专利]平坦衬底边缘与开放体积接触的平衡途径和侧封有效
申请号: | 201711022418.2 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN108091592B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 帕特里克·布赖林格;拉梅什·钱德拉斯哈兰;卡尔·利瑟;保罗·孔科拉;阿德里安·拉沃伊;克洛伊·巴尔达赛罗尼;尚卡·斯瓦米纳坦;伊斯达克·卡里姆;崎山幸则;艾德蒙·明歇尔;金宋杰;安德鲁·杜瓦尔;弗兰克·帕斯夸里 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了平坦衬底边缘与开放体积接触的平衡途径和侧封,具体提供了用于衬底处理系统的基座,其包括具有面向衬底的表面的基座主体。环形带布置在面向衬底的表面上,该表面构造成支撑衬底的径向外边缘。腔被限定在基座主体的面向衬底的表面中并且位于环形带的径向内侧。腔在衬底的底表面和基座主体的面向衬底的表面之间产生体积。多个排气孔通过基座主体并且与腔流体连通,以在处理期间使衬底的相对面上的压力平衡。 | ||
搜索关键词: | 平坦 衬底 边缘 开放 体积 接触 平衡 途径 | ||
【主权项】:
1.一种用于衬底处理系统的基座,其包括:基座主体,其包括面向衬底的表面;环形带,其布置在所述面向衬底的表面上,其构造成支撑所述衬底的径向外边缘;以及腔,其被限定在所述基座主体的所述面向衬底的表面中并且位于所述环形带的径向内侧,其中所述腔在所述衬底的底表面和所述基座主体的所述面向衬底的表面之间产生体积;以及多个排气孔,其通过所述基座主体并与所述腔流体连通,以在处理期间使所述衬底的相对面上的压力平衡。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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