[发明专利]高深宽比结构、电容器结构、半导体存储器件及制备方法

摘要

本发明提供一高深宽比结构的制备方法，制备方法包括提供一带有绝缘层的衬底，并于绝缘层中形成复数个贯通其上下表面下接触点；于绝缘层及下接触点的上表面形成交替叠置的支撑层和介质层，并对支撑层和介质层进行刻蚀，以形成原始孔，原始孔的顶部宽度大于其底部宽度；于支撑层的上表面及原始孔的上部侧壁表面形成阻挡层；对原始孔的下部侧壁进行外形修饰以形成暴露出下接触点的通孔，通孔的底部宽度不小于其顶部宽度，通孔的顶部宽度相同于原始孔的顶部宽度；去除阻挡层。本发明解决了采用现有方法制备柱状电容器时，因下接触点面积变小，导致柱状电容器与下接触点之间的电阻阻抗变高，及造成刻蚀不足，使柱状电容器与下接触点发生断路的问题。

主权项

一种高深宽比结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤1)提供一上表面形成有绝缘层的衬底，并于所述绝缘层中形成复数个下接触点，所述下接触点贯通所述绝缘层的上表面及下表面；步骤2)于所述绝缘层及所述下接触点的上表面形成交替叠置的支撑层和介质层，并对所述支撑层和所述介质层进行刻蚀，以形成原始孔，其中，所述原始孔的顶部宽度大于所述原始孔的底部宽度；步骤3)于所述支撑层的上表面及所述原始孔的上部侧壁表面形成阻挡层；步骤4)对所述原始孔的下部侧壁进行外形修饰，以形成通孔，所述通孔暴露出所述下接触点，其中，所述通孔的底部宽度不小于所述通孔的顶部宽度，所述通孔的顶部宽度相同于所述原始孔的顶部宽度；以及步骤5)去除所述阻挡层，以形成高深宽比结构。