[发明专利]一种基于ZnO的GaN基LED外延生长方法在审
| 申请号： | 201711024142.1 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107799634A | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 徐平 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L21/02 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙)43214 | 代理人： | 郑隽 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种基于ZnO的GaN基LED外延生长方法，包括将蓝宝石衬底放入磁控溅射反应腔，在蓝宝石衬底上生长ZnO薄膜；将生长有ZnO薄膜的蓝宝石衬底取出，放入MOCVD反应腔，依次生长掺杂Si的N型GaN层、有源层MQW、P型AlGaN层和P型GaN层；退火处理。本发明通过利用磁控溅射方法在蓝宝石衬底上生长高质量的ZnO薄膜作为缓冲层，利用GaN和ZnO具有相同的晶体结构(纤锌矿结构)，并且与ZnO之间具有小的晶格失配和热失配的优点，减少LED外延生长缺陷，提高外延晶体质量，提升LED器件的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 zno gan led 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种基于ZnO的GaN基LED外延生长方法，其特征在于，包括：将蓝宝石衬底放入磁控溅射反应腔中，使用高纯度金属锌作为靶材，在腔体温度为350‑400℃，反应腔气压为1‑2Pa，射频功率为100‑150W，通入500‑800sccm氧气和1000‑1600sccm氩气，且控制氧气和氩气的流速比为1:2的条件下，在所述蓝宝石衬底上生长200‑260nm厚的ZnO薄膜，生长时间为20‑30min；将生长所述ZnO薄膜的所述蓝宝石衬底放入MOCVD反应腔，依次生长掺杂Si的N型GaN层、有源层MQW、P型AlGaN层和P型GaN层；在温度为700℃‑800℃，通入100L/min‑150L/min的N2的条件下，保温20‑30min，随炉冷却。
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