[发明专利]Cu-In-Ga-Se化合物旋转靶材的制备方法有效
| 申请号： | 201711024459.5 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107904565B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 李慧;孙良成;李静雅;鲁飞;刘树峰;刘小鱼;成宇;娄树普;温永清 | 申请（专利权）人： | 包头稀土研究院;瑞科稀土冶金及功能材料国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 | 代理人： | 张良 |
| 地址： | 014030 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Cu‑In‑Ga‑Se化合物旋转靶材的制备方法，包括：将无磁管件作为基体，制备Cu‑In‑Ga‑Se粉体，其中，Cu‑In‑Ga‑Se粉体中铜、铟、镓、硒的摩尔比为1:(0.3～2):(0.1～1):(1～3)；利用超音速冷喷涂技术将Cu‑In‑Ga‑Se粉体在预处理后的基体外表面喷涂、沉积层厚度不超过20mm，利用冷等静压技术进一步提高密度；通过高温烧结获取相应组织结构的旋转靶材毛坯，对旋转靶材毛坯进行处理后得到旋转靶材。本发明得到的Cu‑In‑Ga‑Se材料的内部密度均匀，有利于良好镀膜的形成，减少太阳能产品的次品率。 | ||
| 搜索关键词： | cu in ga se 化合物 旋转 制备 方法 | ||
【主权项】：
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