[发明专利]半导体装置结构的制造方法有效
| 申请号： | 201711024611.X | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN109148358B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 吴中文;邱建文;陈建全;张简旭珂 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体装置结构的制造方法，包括在第一导电结构以及第二导电结构上形成介电层。此方法亦包括沉积共形层于介电层中的第一通孔及第二通孔中。此方法还包括去除第二通孔中的共形层。此介电层仍被第一通孔中的共形层覆盖。此外，此方法包括蚀刻第一通孔中的共形层与介电层直到第一通孔及第二通孔中分别露出第一导电结构与第二导电结构。此方法亦包括形成第三导电结构于第一通孔中且形成第四导电结构于第二通孔中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置结构的制造方法，包括：在一第一导电结构以及一第二导电结构上形成一介电层，其中该介电层包含一第一通孔与一第二通孔；沉积一共形层于该第一通孔与该第二通孔中以覆盖该介电层；去除该第二通孔中的该共形层，其中在去除该第二通孔中的该共形层之后，该介电层仍被该第一通孔中的该共形层覆盖；蚀刻该第一通孔中的该共形层与该介电层，直到该第一通孔及该第二通孔中分别露出该第一导电结构及该第二导电结构；以及形成一第三导电结构于该第一通孔中且形成一第四导电结构于该第二通孔中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
