[发明专利]一种调控掺杂浓度的SiC生长方法及装置在审
| 申请号： | 201711024669.4 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN109722711A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可调控掺杂浓度的SiC生长方法及装置，其中生长方法包括以下步骤：提供一坩埚；将SiC源放入坩埚中；将SiC籽晶固定在坩埚上；加热坩埚在SiC籽晶与SiC源之间建立一个主要热梯度，促使SiC源升华的气体向SiC籽晶传输以在SiC籽晶上生长SiC晶体；通入掺杂气体，在生长SiC晶体时对SiC晶体进行掺杂；采用光波监测系统监测正在生长的SiC晶体的掺杂浓度，并根据监测到的掺杂浓度控制通入的掺杂气体的流量；固定SiC籽晶时，使SiC籽晶的宏观生长表面相对于主要热梯度形成一锐角夹角。采用本发明方法及装置可以实现对SiC晶体掺杂的精确控制，获得高质量、低缺陷、掺杂浓度精确的SiC晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 籽晶 掺杂 生长 坩埚 掺杂气体 热梯度 发明方法及装置 加热坩埚 监测系统 晶体掺杂 浓度控制 锐角夹角 生长表面 光波 低缺陷 晶体的 可调控 监测 放入 传输 升华 调控 宏观 | ||
【主权项】：
1.一种调控掺杂浓度的SiC生长方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供一坩埚；将SiC源放入所述坩埚中；将SiC籽晶固定在所述坩埚上；加热所述坩埚，在所述SiC籽晶与所述SiC源之间建立一个主要热梯度，促使所述SiC源升华的气体向所述SiC籽晶传输以采用升华法在所述SiC籽晶上生长SiC晶体；通入掺杂气体，在生长所述SiC晶体时对所述SiC晶体进行掺杂；采用光波监测系统监测正在生长的所述SiC晶体的掺杂浓度，并根据监测到的掺杂浓度控制通入的所述掺杂气体的气体流量；其中，固定所述SiC籽晶时，使所述SiC籽晶的宏观生长表面相对于所述主要热梯度形成一锐角夹角θ1。
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