[发明专利]一种基于典型缺陷特征的KDP晶体损伤阈值预测方法有效
申请号: | 201711025346.7 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN107884423B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 石峰;肖琪;戴一帆;彭小强;胡皓;铁贵鹏 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科技大学 |
主分类号: | G01N21/958 | 分类号: | G01N21/958 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 谭武艺 |
地址: | 410073 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于典型缺陷特征的KDP晶体损伤阈值预测方法,实施步骤包括:预先建立KDP晶体各种典型表面缺陷的光热弱吸收水平与损伤阈值的对应关系;针对待测KDP晶体的表面缺陷进行特征检测确定典型缺陷类型;针对典型表面缺陷区域进行光热弱吸收测量实验得到典型表面缺陷的光热弱吸收值,将典型缺陷类型、典型表面缺陷的光热弱吸收值代入KDP晶体各种典型缺陷的光热弱吸收水平与损伤阈值的对应关系,得到典型表面缺陷的损伤阈值。本发明无损KDP晶体即可进行损伤阈值估计,可避免损伤阈值测试方法的缺陷,不会对晶体造成损伤,提高晶体的利用率,节省加工成本,还能够提升KDP晶体的表面缺陷、用于指导KDP晶体加工工艺。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 典型 缺陷 特征 kdp 晶体 损伤 阈值 预测 方法 | ||
【主权项】:
一种基于典型缺陷特征的KDP晶体损伤阈值预测方法,其特征在于实施步骤包括:1)预先建立KDP晶体各种典型表面缺陷的光热弱吸收水平与损伤阈值的对应关系;2)针对待测KDP晶体的表面缺陷进行特征检测,确定的表面缺陷的典型缺陷类型;3)针对待测KDP晶体的典型表面缺陷区域进行光热弱吸收测量实验,得到典型表面缺陷的光热弱吸收值,将典型缺陷类型、典型表面缺陷的光热弱吸收值代入KDP晶体各种典型缺陷的光热弱吸收水平与损伤阈值的对应关系,得到典型表面缺陷的损伤阈值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科技大学,未经中国人民解放军国防科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711025346.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。