[发明专利]一种石墨烯导电薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种石墨烯导电薄膜的制备方法，属于导电薄膜生产技术领域。所述方法包括以下步骤A．沉积镍薄膜层在玻璃基底上沉积镍薄膜层；所述沉积镍薄膜层的方法为磁控溅射法；B、制备氧化石墨烯薄膜层在镍薄膜层上涂布氧化石墨烯水溶液，在60～90℃条件下烘干，形成厚度为20～30μm的氧化石墨烯薄膜层；C．沉积石墨烯层采用CVD法在氧化石墨烯层上沉积石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层的厚度为50～90μm；D．后处理将步骤C得到的半成品进行降温处理，待温度降至室温后，将氧化石墨烯薄膜层用稀硝酸进行清洗，去除表面镍薄膜层，然后进行干燥即得到所述石墨烯导电薄膜。本发明具有生产成本低，效率高的优点。

主权项

一种石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：A．沉积镍薄膜层在玻璃基底上沉积镍薄膜层；所述沉积镍薄膜层的方法为磁控溅射法，本底真空度：8×10‑5～2×10‑4Pa，衬底温度65～80℃；B、制备氧化石墨烯薄膜层在镍薄膜层上涂布氧化石墨烯水溶液，在60～90℃条件下烘干，形成厚度为20～30μm的氧化石墨烯薄膜层；C．沉积石墨烯层采用CVD法在氧化石墨烯层上沉积石墨烯薄膜层,所述石墨烯薄膜层的厚度为50～90μm；D．后处理将步骤C得到的半成品进行降温处理，待温度降至室温后，将氧化石墨烯薄膜层用稀硝酸进行清洗，去除表面镍薄膜层，然后进行干燥即得到所述石墨烯导电薄膜。