[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置在审
| 申请号： | 201711026420.7 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107742648A | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 薛进进;史大为;徐海峰;杨璐;王文涛;闫雷;姚磊;闫芳;司晓文 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置，该薄膜晶体管包括有源层、栅极、第一源漏极和第二源漏极。有源层包括彼此并列的第一沟道区和第二沟道区、位于第一沟道区和第二沟道区之间的第一源漏区、经第一沟道区或第二沟道区与第一源漏区相对的第二源漏区；栅极包括第一栅极和第二栅极，第一栅极和第二栅极分别与第一沟道区和第二沟道区交叠；第一源漏极和第二源漏极分别与有源层的第一源漏区和第二源漏区电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：有源层，包括彼此并列的第一沟道区和第二沟道区、位于所述第一沟道区和所述第二沟道区之间的第一源漏区、经所述第一沟道区或所述第二沟道区与所述第一源漏区相对的第二源漏区；栅极，包括第一栅极和第二栅极，其中，所述第一栅极和所述第二栅极分别与所述第一沟道区和所述第二沟道区交叠；第一源漏极和第二源漏极，分别与所述有源层的第一源漏区和第二源漏区电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711026420.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
