[发明专利]利用磁控溅射制备钛合金涂层的方法在审
| 申请号： | 201711028774.5 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107815656A | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 鲍必辉 | 申请（专利权）人： | 温州市科泓机器人科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H05K5/02;C23C14/02;C23C14/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 325000 浙江省温州市龙湾区高新技术产*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了表面覆盖TiN‑纳米Ti02膜的电子装置壳体及其加工方法，借助磁控溅射，通过调节工艺参数先在陶瓷基体(101)上涂覆TiN薄膜预置层(102），再在TiN预置层(102）上涂覆纳米TiO2膜(103)，薄膜均匀。有效解决电子装置外壳容易积灰、受污的问题，使得电子装置壳体具有易清洁和自清洁的特性，提高产品竞争力；而且，加工过程中靶料利用率高，安全环保。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 磁控溅射 制备 钛合金 涂层 方法 | ||
【主权项】：
一种利用磁控溅射制备钛合金涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S100：对陶瓷基体(101)进行表面处理；步骤S200：将经过表面处理的陶瓷基体(101)稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将陶瓷基体(101)输送至安装有金属钛靶的真空室；步骤S300：关闭真空室的出入口，抽真空至3×10‑4至5×10‑4Pa，通入氢气和氮气的混合气体；步骤S400：在功率为50‑200W，偏压120‑160V，靶距30‑40mm,陶瓷基体(101)温度30‑300摄氏度的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为20‑60min；步骤S500：缓慢开启真空室使其与室外空气连通，再重新抽取真空度至5×10‑4至8×10‑4Pa，通入氢气和氧气的混合气体；步骤S600：在功率为3000‑4000W，无偏压，靶距30‑40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为40‑400min；所述步骤S300具体是指先用机械泵抽真空至1‑2Pa，然后用分子泵抽真空至3.8×10‑4‑4.2×10‑4Pa,氢气的分压为0.4‑1.6Pa,氮气的分压为0.02‑0.02Pa；所述步骤S400具体是指在功率115W，偏压140V，靶距35mm,陶瓷基体(101)温度200摄氏度的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40min。
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