[发明专利]用于GaN功率器件的双频窄带功率放大器级间匹配电路在审

专利信息
申请号: 201711029271.X 申请日: 2017-10-26
公开(公告)号: CN107809218A 公开(公告)日: 2018-03-16
发明(设计)人: 毛陆虹;蔡昊成;谢生;丛佳 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F3/19;H03F3/21
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 代理人: 杜文茹
地址: 300192*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种用于GaN功率器件的双频窄带功率放大器级间匹配电路,包括依次相连的用于在两个频带内对二次谐波开路,对三次谐波短路阻抗条件进行匹配的谐波阻抗匹配模块和在两个频带内完成驱动级输出基波阻抗及功率级输入基波阻抗的匹配的基波阻抗匹配模块,所述谐波阻抗匹配模块的输入端连接驱动级GaN晶体管的输出端,所述基波阻抗匹配模块的输出端连接功率级GaN晶体管的输入端。本发明可同时实现在两个频带下驱动级输出基波阻抗及功率级输入基波阻抗匹配,从而实现同时工作在双频带的要求;本发明可降低功率级无效输出功率,进一步提高整体功率放大器的效率;该匹配电路结构简单,易于实现,具有良好的应用前景。
搜索关键词: 用于 gan 功率 器件 双频 窄带 功率放大器 匹配 电路
【主权项】:
一种用于GaN功率器件的双频窄带功率放大器级间匹配电路,其特征在于,包括依次相连的用于在两个频带内对二次谐波开路,对三次谐波短路阻抗条件进行匹配的谐波阻抗匹配模块(2)和在两个频带内完成驱动级输出基波阻抗及功率级输入基波阻抗的匹配的基波阻抗匹配模块(3),所述谐波阻抗匹配模块(2)的输入端连接驱动级GaN晶体管(1)的输出端,所述基波阻抗匹配模块(3)的输出端连接功率级GaN晶体管(4)的输入端。
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