[发明专利]用于GaN功率器件的双频宽带功率放大器级间匹配电路在审
申请号: | 201711029281.3 | 申请日: | 2017-10-26 |
公开(公告)号: | CN107911088A | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 毛陆虹;蔡昊成;谢生;丛佳 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H03F1/56 | 分类号: | H03F1/56;H03F3/21 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人: | 杜文茹 |
地址: | 300192*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种用于GaN功率器件的双频宽带功率放大器级间匹配电路,包括依次相连的用于在两个频率下对二次谐波阻抗为纯电抗条件进行匹配的二次谐波阻抗匹配模块和在两个频率下完成驱动级输出基波阻抗及功率级输入基波阻抗的匹配的基波阻抗匹配模块,所述二次谐波阻抗匹配模块的输入端连接驱动级GaN晶体管的输出端,所述基波阻抗匹配模块的输出端连接功率级GaN晶体管的输入端。本发明结构简单,易于实现,可同时实现两个频率的阻抗匹配,从而实现同时工作在双频率的要求;可以在双频条件下实现驱动级类半正弦电压信号输出,从而降低功率级无效输出功率,提高功率放大器整体效率;并在两个频率下实现驱动级输出基波阻抗及功率级输入基波阻抗匹配。 | ||
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【主权项】:
一种用于GaN功率器件的双频宽带功率放大器级间匹配电路,其特征在于,包括依次相连的用于在两个频率下对二次谐波阻抗为纯电抗条件进行匹配的二次谐波阻抗匹配模块(2)和在两个频率下完成驱动级输出基波阻抗及功率级输入基波阻抗的匹配的基波阻抗匹配模块(3),所述二次谐波阻抗匹配模块(2)的输入端连接驱动级GaN晶体管(1)的输出端,所述基波阻抗匹配模块(3)的输出端连接功率级GaN晶体管(4)的输入端。
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