[发明专利]利用电场调控磁矩抑制1/f噪声的弱磁传感器及其应用方法有效
| 申请号： | 201711029649.6 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107894577B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 胡佳飞;潘龙;潘孟春;李裴森;杜青法;田武刚;陈棣湘;孙琨;胡靖华;胡悦国;彭俊平;邱伟成 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 43008 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 谭武艺<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用电场调控磁矩抑制1/f噪声的弱磁传感器及其应用方法，磁场传感器包括压电材料基底和磁力线聚集单元，压电材料基底连接有驱动电极，磁力线聚集单元包括采用磁致伸缩材料制成的第一磁力线聚集器和第二磁力线聚集器，第一磁力线聚集器和第二磁力线聚集器之间设有间隙且相对间隙左右对称布置，间隙处布置有磁敏感单元；1/f噪声抑制方法实施步骤包括预先确定磁场传感器的低频噪声的拐点频率，通过磁场传感器的驱动电极施加高频交变电压信号，实现间隙内磁场的高频调制，从而达到抑制磁传感器1/f噪声的目的。本发明的磁场传感器结构简单、制备方便、能耗低，其低频噪声抑制方法具有稳定性高、调制效率高、调制频率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 电场 调控 抑制 噪声 传感器 及其 应用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用电场调控磁矩抑制1/f噪声的弱磁传感器，其特征在于：包括压电材料基底(1)和设于压电材料基底(1)表面上的磁力线聚集单元(2)，所述压电材料基底(1)连接有驱动电极(3)，所述磁力线聚集单元(2)包括采用磁致伸缩材料制成的第一磁力线聚集器(21)和第二磁力线聚集器(22)，所述第一磁力线聚集器(21)和第二磁力线聚集器(22)之间设有间隙(23)且相对间隙(23)左右对称布置，所述间隙(23)处布置有磁敏感单元(4)，所述驱动电极(3)包括金属底电极(31)、第一金属顶电极(32)和第二金属顶电极(33)，所述金属底电极(31)覆于压电材料基底(1)的底面上，所述第一金属顶电极(32)覆于第一磁力线聚集器(21)的表面上，所述第二金属顶电极(33)覆于第二磁力线聚集器(22)的表面上。/n
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