[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法

摘要

本公开涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。包括鳍式低耐压晶体管和鳍型高耐压晶体管的半导体器件的性能得到改善。在通过第一元件隔离膜彼此隔离的多个第一鳍中的每一个上形成低耐压晶体管，以及形成高耐压晶体管，该高耐压晶体管具有包括多个第二鳍的顶部和侧表面的沟道区域和在彼此相邻的第二鳍之间的半导体衬底的顶部。此时，围绕包括一个高耐压晶体管的沟道区域的一部分的第二鳍的第二元件隔离膜的顶部低于第一元件隔离膜的顶部。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有在所述半导体衬底的顶部中的第一区域和第二区域；作为所述半导体衬底的一部分的多个第一突出部，所述多个第一突出部从所述第一区域的所述半导体衬底的顶部突出，沿着所述半导体衬底的顶部在第一方向上延伸，并且被布置在与所述第一方向正交的第二方向上；作为所述半导体衬底的一部分的多个第二突出部，所述多个第二突出部从所述第二区域的所述半导体衬底的顶部突出，沿着所述半导体衬底的顶部在第三方向上延伸，并且被布置在与所述第三方向正交的第四方向上；第一元件隔离膜，在彼此相邻的所述第一突出部之间填充并且具有位于每个所述第一突出部的顶部下方的顶部，第二元件隔离膜，在彼此相邻的所述第二突出部之间露出所述半导体衬底的顶部，并且嵌入沟槽中，所述沟槽围绕所述第二突出部形成在所述半导体衬底的顶部中，第一栅电极，在所述第二方向上覆盖每个所述第一突出部的顶部和侧表面，其间具有第一绝缘膜；第二栅电极，在所述第四方向上覆盖每个所述第二突出部的顶部和侧表面，并且在彼此相邻的所述第二突出部之间覆盖所述半导体衬底的顶部，其间具有第二绝缘膜；第一源极区域和第一漏极区域，形成在所述第一突出部的表面中，以在平面视角下夹持所述第一栅电极；以及第二源极区域和第二漏极区域，形成在所述第二突出部的表面中，并且形成在所述半导体衬底的顶部中，以在平面视角下夹持所述第二栅电极，其中所述第一栅电极、所述第一源极区域和所述第一漏极区域配置为第一场效应晶体管，所述第二栅电极、所述第二源极区域和所述第二漏极区域配置为第二场效应晶体管，并且所述第二元件隔离膜的顶部位于所述第一元件隔离膜的顶部下方。