[发明专利]减少电容变化的MOS电容结构有效
| 申请号： | 201711032533.8 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN108010903B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | A·西杰利尼科夫;阿尔班·阿卡;艾尔·梅迪·巴利利;V·N·R·K·内卢里;朱尔根·法尔 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L29/94 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及减少电容变化的MOS电容结构。一种电容结构，可以形成在先进MOS器件的器件层中，以显着降低电容/电压的可变性。为此，可以在该电容结构的“沟道”中形成一高掺杂半导体区域。例如，对于该高掺杂半导体区域中掺杂剂的指定浓度以及垂直尺寸的指定范围，可以获得电压范围在例如±5V内的大约3％或更小的一减小的可变性。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 电容 变化 mos 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件中的电容结构，包括：第一掺杂半导体区域，其包括具有第一浓度的第一掺杂剂，该第一掺杂剂向该第一掺杂半导体区域引入第一导电类型；第二掺杂半导体区域，其形成于该第一掺杂半导体区域的下方并与该第一掺杂半导体区域相接触，该第二掺杂半导体区域包括具有小于该第一浓度的第二浓度的第二掺杂剂，该第二掺杂剂向该第二掺杂半导体区域引入该第一导电类型；电极结构，其包含形成于该第一掺杂半导体区域上的介电层；以及接触结构，其形成以连接至该第一掺杂半导体区域。
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