[发明专利]粒子撞击模拟方法

摘要

一种粒子撞击模拟方法，其可基于实施与半导体电路的设计相关联的模拟来预测与所述设计相关联的软错误率(SER)。所述模拟可包括：基于表示所述设计的信息来产生模拟环境；基于所述模拟环境执行粒子撞击模拟，以产生电荷沉积信息；以及从所述电荷沉积信息计算收集电荷量。可判断基于所述收集电荷量预测的软错误率是否至少满足阈值。如果所述预测软错误率值满足阈值，则可修改所述设计，且重复所述模拟。如果所述预测软错误率值小于阈值，则可基于所述设计来制造半导体电路。据此，可提高对三维半导体装置进行软错误率预测的准确性。

主权项

1.一种粒子撞击模拟方法，其特征在于，包括：接收与半导体电路的设计相关联的布局及网表信息，所述半导体电路包括三维半导体装置；基于所述布局及网表信息来产生模拟环境，所述模拟环境包括根据所述半导体电路的所述设计的所述半导体电路的表示形式；基于所述模拟环境执行粒子撞击模拟，以产生与所述半导体电路的所述设计相关联的电荷沉积信息；基于所述电荷沉积信息来计算与所述半导体电路的所述设计相关联的收集电荷量；以及基于所计算出的所述收集电荷量来制造所述半导体电路。