[发明专利]基于二维电子浓度调制的太赫兹近场辐射增强装置

摘要

本发明涉及一种基于二维电子浓度调制的太赫兹近场辐射增强装置，从激光光源输出的飞秒激光经由分束片分为两束。分束片反射光束作为泵浦光，聚焦到光电导天线上产生太赫兹波，太赫兹波再入射到分光栅场效应晶体上，分光栅场效应晶体光栅层上栅极和半导体层外加偏置电压，金属栅极下方半导体层中由电子浓度差形成缺陷腔，通过缺陷腔的太赫兹近场辐射将会增强。分束片透射光聚焦后，作为太赫兹波探测光打到分光栅场效应晶体管另一侧电介质基片上，探测经过近场辐射增强的太赫兹波。本发明只需通过改变偏置电压调节浓度差就能使得太赫兹近场辐射强度增强，装置容易搭建，操作简便，适用于太赫兹成像技术等与太赫兹近场辐射强度相关的前沿科技的发展。

主权项

一种基于二维电子浓度调制的太赫兹近场辐射增强装置，其特征在于，包括激光光源（1），分束片（2），第一反射镜（3），机械延迟线（4），第二反射镜（5），第三反射镜（6），斩波器（7），第一透镜（8），光电导天线（9），偏置电压控制的分光栅场效应晶体管（10），第四反射镜（11），第五反射镜（12），第二透镜（13）；从激光光源（1）输出的飞秒激光经由分束片（2）分为两束，透射光经第四反射镜（11）和第五反射镜（12）反射后，再经过第二透镜（13）聚焦后，作为太赫兹波探测光打到偏置电压控制的分光栅场效应晶体管（10）上；另一部分分束片（2）反射光束作为泵浦光，经第一反射镜（3）后进入由步进电机和两个反射镜组成的机械延迟线（4）、然后出射光经由第二反射镜（5）和第三反射镜（6）后，再经过斩波器（7）调制频率后，由第一透镜（8）此泵浦光聚焦到光电导天线（9）上产生太赫兹波，太赫兹波辐射到偏置电压控制的分光栅场效应晶体管（10）的上，通过分光栅场效应晶体管（10）中半导体层二维石墨烯材料上电子浓度差所形成缺陷腔的太赫兹近场辐射将会增强，被太赫兹波探测光所探测。