[发明专利]逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法、电力电子设备有效
| 申请号： | 201711034355.2 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN107845673B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 何昌 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法、电力电子设备，以改善逆导型绝缘栅双极型晶体管的负阻效应，提高器件的可靠性。逆导型绝缘栅双极型晶体管包括集电极金属、位于集电极金属前侧且交替排列的第一P型集电区和N型集电区，以及对应设置在每个N型集电区前侧的第二P型集电区，第二P型集电区与N型集电区相对设置，集电极金属通过贯穿N型集电区的接触孔槽与第二P型集电区连接。 | ||
| 搜索关键词： | 逆导型 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制作方法 电力 电子设备 | ||
【主权项】：
一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括集电极金属、位于所述集电极金属前侧且交替排列的第一P型集电区和N型集电区，以及对应设置在每个所述N型集电区前侧的第二P型集电区，所述第二P型集电区与所述N型集电区相对设置，所述集电极金属通过贯穿所述N型集电区的接触孔槽与所述第二P型集电区连接。
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