[发明专利]一种带有电荷可调型场板的P型LDMOS结构

摘要

本发明公开了一种带有电荷可调型场板的P型LDMOS结构，包括：N型半导体衬底，N型半导体衬底上设有P型漂移区和N型阱，在N型阱上设有P型源区、N型接触区和栅氧化层，在P型漂移区上设有P型漏区和场氧化层，其特征在于，所述场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，每个电荷可调型场板上均连接有金属感应层，在N型接触区和P型源区上连接有源极金属，所述源极金属完全覆盖所有的金属感应层。该结构可以使器件整个漂移区获得均匀的表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力，可以在保持高击穿电压的条件下提高器件的漂移区掺杂浓度，从而获得低的导通电阻。

主权项

一种带有电荷可调型场板的P型LDMOS结构，包括：N型半导体衬底(1)，在N型半导体衬底(1)上设置有P型漂移区(2)和N型阱(3)，在N型阱(3)上设有P型源区(4)和N型接触区(5)，在P型漂移区(2)上设有P型漏区(6)和场氧化层(7)，在部分P型漂移区(2)和部分N型阱(3)上方设有栅氧化层(8)，且栅氧化层(8)的一端和P型源区(4)的边界相抵，所述栅氧化层(8)的另一端与场氧化层(7)的边界相抵，在栅氧化层(8)表面设有多晶硅栅(9)，且多晶硅栅(9)延伸至场氧化层(7)的上方，在部分N型阱(3)、N型接触区(5)、P型源区(4)、多晶硅栅(9)、P型漏区(6)及部分场氧化层(7)的表面设有介质层(10)，P型漏区(6)上连接有漏极金属(11)，其特征在于，所述场氧化层(7)表面设有第一电荷可调型场板(121)、第二电荷可调型场板(122)和第三电荷可调型场板(123)，所述第一电荷可调型场板(121)上连接有第一金属感应层(131)，所述第二电荷可调型场板(122)上连接有第二金属感应层(132)，所述第三电荷可调型场板(123)上连接有第三金属感应层(133)，在N型接触区(5)和P型源区(4)上连接有源极金属(14)，所述源极金属(14)延伸至场氧化层(7)的上方，且源极金属(14)完全覆盖第三金属感应层(133)。