[发明专利]一种型单晶硅定晶向多线切割工艺在审

专利信息
申请号: 201711037057.9 申请日: 2017-10-30
公开(公告)号: CN107599196A 公开(公告)日: 2018-01-19
发明(设计)人: 吕菲;李聪;张贺强;陶术鹤;李志远;黄彬 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
主分类号: B28D5/04 分类号: B28D5/04
代理公司: 天津中环专利商标代理有限公司12105 代理人: 王凤英
地址: 300220*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种<111>型单晶硅定晶向多线切割工艺,具体来说是一种<111>型单晶硅以特定晶向作为切割方向的多线切割工艺。本切割工艺先通过X射线定向仪确定<111>型单晶硅径向的[1‑10]、[‑110]、[01‑1]、[0‑11]、[10‑1]及[‑110]六个晶向位置,然后在粘棒过程中,通过旋转单晶棒,使得其中任意一个晶向垂直于粘棒托进行粘接,切割时,切割线即能沿着该晶向方向进行切割。切割线径0.12mm,切割线张力20N,送线速度100m/min。采取本工艺,可以有效减小单晶硅片WARP,相比任意方向切割而言,沿以上六个晶向方向切割单晶硅片WARP能够减小4‑8μm,提升市场竞争力。
搜索关键词: 一种 单晶硅 切割 工艺
【主权项】:
一种<111>型单晶硅定晶向多线切割工艺,其特征在于:其工艺步骤如下:步骤一、<111>型单晶硅棒经滚磨后,采用X射线定向仪确定单晶硅棒径向的[1‑10]、[‑110]、[01‑1]、[0‑11]、[10‑1]及[‑110]六个晶向位置,并做标记;步骤二、在粘棒过程中,通过旋转单晶棒,使得六个晶向中任意一个晶向方向垂直于粘棒托进行粘接;步骤三、将粘接好后的单晶棒用多线切割机切割,切割线径0.12mm,切割线张力20N,送线速度100m/min。
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