[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711037435.3 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109728078B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 邓银屏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极凹槽；在所述栅极凹槽的底部和侧壁上形成功函数层；在所述功函数层上形成富金属的扩散阻挡层；在所述富金属的扩散阻挡层上形成富氮的扩散阻挡层；在所述富氮的扩散阻挡层上形成填充所述栅极凹槽的金属栅电极。本发明提供的半导体器件及其制造方法，在功函数层上依次形成了富金属的扩散阻挡层和富氮的扩散阻挡层，所述富金属的扩散阻挡层能够避免功函数层中的金属扩散到扩散阻挡层中，所述富氮的扩散阻挡层提高了扩散阻挡层整体的扩散阻挡能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极凹槽；在所述栅极凹槽的底部和侧壁上形成功函数层；在所述功函数层上形成富金属的扩散阻挡层；在所述富金属的扩散阻挡层上形成富氮的扩散阻挡层；在所述富氮的扩散阻挡层上形成填充所述栅极凹槽的金属栅电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711037435.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体元件
- 下一篇：一种晶体管及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
