[发明专利]硫化镉/硅纳米孔柱太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明提供了一种硫化镉/硅纳米孔柱太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，该硫化镉/硅纳米孔柱太阳能电池的制备方法包括用两步法在纳米孔柱硅片表面制备硫化镉纳米薄膜的步骤，利用该制备方法能够缓解现有硫化镉纳米薄膜均匀性和致密性差、电学性能不佳以及电池串联电阻过高等技术问题，达到提高硫化镉纳米薄膜结晶度、降低电池串联电阻和改善太阳能电池光伏性能的技术效果。

主权项

1.一种硫化镉/硅纳米孔柱太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括用两步法在纳米孔柱硅片表面制备硫化镉纳米薄膜的步骤；所述两步法制备硼掺杂硫化镉纳米薄膜包括以下步骤：步骤a)：将醋酸镉和硼酸溶于去离子水中形成溶液A；将硫脲溶于去离子水中形成溶液B；先将溶液A与氨水混合加热至38‑40℃，再与溶液B混合，并加热至40‑55℃，得到反应溶液；步骤b)：将纳米孔柱硅片置于反应溶液中进行反应，反应温度40‑55℃，反应15‑25min，反应结束后进行清洗；步骤c)：将步骤b)中经清洗后的纳米孔柱硅片再次置于反应溶液中进行反应，反应温度为65‑85℃，反应时间为15‑25min，反应结束后进行清洗；步骤d)：将步骤c)中经清洗后的纳米孔柱硅片在0.022‑0.028mol/L的醋酸镉溶液中浸泡13‑20min，取出后置于氮气气氛中进行退火处理，即在纳米孔柱硅片两表面制备得到硼掺杂硫化镉纳米薄膜，得到硼掺杂硫化镉/硅纳米孔柱状异质结；步骤e)依次采用稀盐酸和饱和氢氧化钠溶液对生长有硼掺杂硫化镉纳米薄膜的纳米孔柱硅片的任意一侧表面进行腐蚀清洗，直至去除硼掺杂硫化镉纳米薄膜。